RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
2208
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Crucial Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link