RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
2594
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link