RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
2825
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link