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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.9
16.6
写入速度,GB/s
8.7
12.9
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2825
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
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