RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
2136
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link