RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3545
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link