RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
50
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
10.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
31
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
15.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
3545
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link