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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
50
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
31
读取速度,GB/s
15.3
18.0
写入速度,GB/s
10.9
15.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3545
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
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