RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.4
10
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
53
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2333
2200
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link