RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
2832
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
INTENSO 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link