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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
比较
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
总分
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
13.3
13.4
写入速度,GB/s
8.2
10.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1982
2832
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
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