RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
24.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
19.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
24.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
19.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
4174
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1869DT1TX0. 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link