RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
73
Wokół strony -306% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3722
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link