RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
73
Около -306% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.4
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
18
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
20.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3722
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link