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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
73
Por volta de -306% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
18
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
20.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
16.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3722
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
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