RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
61
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
61
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2028
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link