RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2179
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link