RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3809
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link