RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2988
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link