RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2659
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link