RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 51
    周辺 -122% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 2659

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAMの比較

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
メモリRAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
メモリRAM