RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3143
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link