RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2756
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link