RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3127
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7416G2133U2S 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link