RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
51
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
41
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2302
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link