RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
51
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
41
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
12.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2302
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link