RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
80
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
80
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
1564
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link