RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3145
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link