RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2740
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link