RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
4382
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link