RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3683
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link