RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
66
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2815
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link