RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
66
Por volta de -106% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
10.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
2815
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link