RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
51
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
17
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3714
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link