RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
51
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2942
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link