RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
比較する
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
総合得点
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
51
周辺 -42% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.3
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
36
読み出し速度、GB/s
9.8
15.3
書き込み速度、GB/秒
8.1
11.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2208
2942
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAMの比較
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link