RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3845
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link