RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3208
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link