RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
60
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
60
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
2.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
1505
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link