RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
60
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
2.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
60
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
7.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
1505
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link