RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2800
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link