RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston XN205T-HYD2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1348
3773
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link