RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2658
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link