RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2672
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link