RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2438
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link