RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
71
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
1768
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link