RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3396
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link