RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
65
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3396
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link