RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
51
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
39
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2782
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link