RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2078
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link